特許

J-GLOBAL ID：200903094136753169

半導体装置の製造方法

発明者： 松田 隆幸 ,  福本 正紀 ,  澤田 和幸
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-006394
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216153
出願日： 1993年01月19日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、ゲート電極の表面上にほぼ選択的に、有機シランと、オゾンを含んだ酸素との熱分解反応によるSiO2膜を成長させ、LDDサイドウォ-ルを形成する半導体装置の製造方法を提供するものである。【構成】 半導体基板上に形成されたゲート酸化膜1上に、ゲート電極となるポリシリコン7を堆積し、この上にタングステンシリサイド膜10を堆積する。次に、この上にレジストを塗布し、所望の領域を露光して、これをマスクとしてエッチングを行いゲート電極20を形成する。次に、この上にレジストを塗布し、所望の領域を露光して、これをマスクとして、リンP+を注入して濃度の薄い拡散領域30を形成する。次に、上記ゲート電極20の表面上に選択的に、有機シランと、オゾンを含んだ酸素との熱分解反応によるSiO2膜50を堆積し、LDDサイドウォ-ルを形成する。次に、砒素As+を注入して、濃度の濃い拡散領域34を作り、n-chのMOSトランジスタを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成した電極叉は配線の表面及び側面に有機シランと、オゾンを含んだ酸素との熱分解反応によるSiO2膜を優先的に厚く被覆する工程を含む半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 F