特許
J-GLOBAL ID：200903094140352268
多層セラミック基板およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-198139
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045758
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 製造工程で発生する電極間の接続不良や電極と内層導体パターンとの接続不良をなくすることができる多層セラミック基板およびその製造方法を得ることを目的とする。【構成】 フィルム2にグリーンシート1を層状に形成する工程と、フィルム2とグリーンシート1にスルホール用の孔を穿つ工程と、スルホール用の孔に導体ペースト3を充填して電極6を形成する工程と、フィルム2とグリーンシート1を加圧して導体ペースト3の充填密度を高密度化する工程と、グリーンシート1からフィルム2を剥す工程と、グリーンシート1を順次積層する工程とで多層セラミック基板を製造するもので、導体ペースト3を高密度化することにより焼成時に生じる電極の収縮を安定させて、電極間の接続や電極と内層導体パターンとの接続を確実なものにできる。
請求項（抜粋）：
複数のセラミック基板を積層し、前記セラミック基板面のそれぞれに形設した内層導体パターンを前記セラミック基板を貫通する電極で接続したものであって、前記セラミック基板に穿設されたスルホール用の孔に充填されて前記電極を形成する導体ペーストの充填密度を充填後に高密度化してなる多層セラミック基板。
IPC (2件)：
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