特許
J-GLOBAL ID：200903094141074733
単結晶引上装置
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
桑井 清一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-168372
公開番号（公開出願番号）：特開平5-330975
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年12月14日
要約：
【要約】【目的】 シリコン単結晶棒中のOSF発生を抑止することによりシリコン単結晶棒の品質を向上させることができる単結晶引上装置を提供する。【構成】 シリコン融液6を保持する石英坩堝5を回転自在に設ける。このシリコン融液6からシリコン単結晶棒8を引き上げる引上機構を設ける。石英坩堝5の周りにシリコン融液6を加熱するヒータ7を設ける。そして、シリコン単結晶棒8を取り囲むように、熱遮蔽機構9をシリコン融液6の上方に設ける。この熱遮蔽機構9のスクリーン15の下端開口9Aの面積を可変する。このことにより、シリコン単結晶棒8のOSFの発生を助長する温度領域、例えば850〜1050°C程度の温度範囲に、シリコン単結晶棒8のテイル部が位置する時間を短縮することができる。この結果、シリコン単結晶棒8中のOSFの発生を防止することができる。
請求項（抜粋）：
結晶融液を保持する石英坩堝と、上記結晶融液を加熱するヒータと、上記結晶融液から単結晶棒を引き上げる引上機構と、上記結晶融液から上記単結晶棒に伝播する熱を遮蔽するとともに、上記単結晶棒が引き上げられる開口部を有する遮蔽部材と、を備えた単結晶引上装置において、上記遮蔽部材の開口部の面積を可変とすることを特徴とする単結晶引上装置。
IPC (2件)：
C30B 15/14
, C30B 29/06 502
