特許

J-GLOBAL ID：200903094141688243

酸化物半導体発光素子

発明者： 齊藤 肇
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 山崎 宏 ,  前田 厚司 ,  仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-166151
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005421
出願日： 2003年06月11日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】発光の効率と発光の均一性に優れ、低電圧で動作する酸化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】このZnO半導体発光ダイオード素子10では、サファイア基板1上にi型ZnO発光層2、n型ZnO層3が順に積層され、n型ZnO層3上にn型のITO透明導電膜4が形成されている。この発光ダイオード素子10の積層構造によれば、バイアス電圧を印加しても電位障壁がキャリア注入を阻害せず、i型ZnO発光層2へ高効率にキャリアを注入できる。また、従来例のような異種半導体材料とのヘテロ接合ではなく、i型ZnO発光層2とn型ZnO層3とのZnO系半導体によるホモ接合でpn界面を形成しているので、ホール注入効率が高い。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に、順に、i型またはp型の導電型を有するZnO系半導体発光層と、n型ZnO系半導体層とが、少なくとも積層され、上記n型ZnO系半導体層上にn型の透明導電膜が形成されていることを特徴とする酸化物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 D

Fターム (11件)：

5F041AA03 ,  5F041AA05 ,  5F041AA08 ,  5F041CA02 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA06 ,  5F041CA14 ,  5F041CA41 ,  5F041CA66 ,  5F041CA88