特許
J-GLOBAL ID：200903094147048378
固体撮像装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-271237
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091643
出願日： 2006年10月02日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：
【課題】フォトダイオードへの入射光量の低下を防止することができ、プロセス難易度が低く、プロセス工程数の増加を抑制した固体撮像装置を提供する。【解決手段】本発明に係る固体撮像装置は、半導体基板101と、半導体基板101に形成され、入射光を光電変換する受光素子102と、半導体基板101の受光素子102が形成された面上に積層される複数の配線層とを備え、複数の配線層のうち1以上は、第1絶縁層104と、第1絶縁層104上に形成される金属配線105と、第1絶縁層104及び金属配線105上に積層され、金属配線105を構成する材料の拡散を防止し、入射光の反射を防止する反射防止層122と、反射防止層122上に積層される第2絶縁層108とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板に形成され、入射光を光電変換する受光素子と、
前記半導体基板の前記受光素子が形成された面上に積層される複数の配線層とを備え、
前記複数の配線層のうち1以上は、
第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に形成される金属配線と、
前記第1絶縁層及び金属配線上に積層され、前記金属配線を構成する材料の拡散を防止し、前記入射光の反射を防止する反射防止層と、
前記反射防止層上に積層される第2絶縁層とを備える
ことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 D
, H04N5/335 U
4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118CA03
, 4M118CA32
, 4M118CA34
, 4M118FA27
, 4M118FA28
, 4M118FA33
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 4M118GD07
, 5C024AX01
, 5C024CX41
, 5C024CY47
, 5C024GX01
, 5C024GX12
, 5C024GY31
