特許

J-GLOBAL ID：200903094148293880

酸化亜鉛積層薄膜体およびその製造方法

発明者： 荒尾 浩三 ,  遠山 上 ,  園田 雄一 ,  宮本 祐介
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-201862
公開番号（公開出願番号）：特開2002-020884
出願日： 2000年07月04日
公開日（公表日）： 2002年01月23日
要約：

【要約】【課題】 基体上にスパッタ法による酸化亜鉛薄膜を積層し、その上により厚い電析法による酸化亜鉛薄膜を積層した酸化亜鉛積層薄膜体において、膜厚方向の抵抗が充分に低い酸化亜鉛薄膜層を得ることができる酸化亜鉛積層薄膜体、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基体4002上にスパッタ法による酸化亜鉛薄膜4004を積層するとともに、その上に電析法による酸化亜鉛薄膜4005を積層してなる酸化亜鉛積層薄膜体4001であって、スパッタ法による酸化亜鉛薄膜4004に、抵抗値を低減するドーパントが含有されている。

請求項（抜粋）：

基体上にスパッタ法による酸化亜鉛薄膜を積層するとともに、その上に電析法による酸化亜鉛薄膜を積層してなる酸化亜鉛積層薄膜体において、前記スパッタ法による酸化亜鉛薄膜に、抵抗値を低減するドーパントが含有されていることを特徴とする酸化亜鉛積層薄膜体。

IPC (7件)：

C23C 28/04 ,  C23C 14/08 ,  C25D 9/04 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/316 ,  H01L 31/04

FI (7件)：

C23C 28/04 ,  C23C 14/08 C ,  C25D 9/04 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/208 Z ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 31/04 M

Fターム (46件)：

4K029AA02 ,  4K029AA25 ,  4K029BA49 ,  4K029BA64 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DA01 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029EA01 ,  4K029FA07 ,  4K029GA03 ,  4K029JA10 ,  4K044AA03 ,  4K044AB02 ,  4K044BA12 ,  4K044BB03 ,  4K044BC14 ,  4K044CA13 ,  4K044CA17 ,  5F051BA11 ,  5F051BA14 ,  5F051FA23 ,  5F051HA11 ,  5F053AA50 ,  5F053BB60 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053HH02 ,  5F053LL05 ,  5F053RR12 ,  5F058BA20 ,  5F058BB05 ,  5F058BB06 ,  5F058BC03 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BF42 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103HH01 ,  5F103HH05 ,  5F103KK03 ,  5F103LL04 ,  5F103RR05