特許

J-GLOBAL ID：200903094152795890

半導体フィ-チャの低温銅リフロ-を改善する構造と方法

発明者： ペイユン ディン ,  イムラン ハシム ,  バリー エル チン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-333905
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174026
出願日： 1999年11月25日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 複雑な装置を使用しない半導体相互接続フィーチャを充填する方法。【解決手段】 銅リフロープロセスを使用して、ボイドをトラップせずにトレンチとビア等の半導体フィーチャに銅充填する。リフロー前のフィーチャ構造の充填されていない部分がフィーチャ内の毛管となり、毛管の容積は、銅で完全に充填すべき当初のフィーチャ容積の約20%から約90%の間である。毛管のアスペクト比は、少なくとも1.5が好ましい。毛管の最大開口部寸法は、約0.8μmより小さい。リフロープロセス中の好適な銅の温度は、約300°Cから約600°Cの温度範囲内におけるある温度又はこの範囲の温度上昇又は下降である。フィーチャのアスペクト比が少なくとも1.5のとき、リフロープロセスで充填されていないフィーチャの容積割合を制御し、表面張力と毛管現象を利用することにより、銅充填材料は、毛管を備えるフィーチャ内に容易に引き込まれ、フィーチャの壁に沿ってボイドを形成しない。

請求項（抜粋）：

半導体基板上又は内に半導体フィーチャの銅充填を設ける方法において、a) 前記フィーチャ内に毛管を作るように前記フィーチャの内面上に銅充填層を堆積し、前記毛管は当初のフィーチャ容積の約20%から約90%の間であり、前記毛管のアスペクト比は少なくとも約1.5であり、b) 前記銅充填層をリフローし、前記開口部から最も遠い前記毛管の少なくとも一部が銅で充填されるようにすることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/203

FI (3件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/88 K