特許
J-GLOBAL ID：200903094156510475
評価装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-209937
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061188
出願日： 1992年08月06日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 半導体の組成の評価を行う評価装置において、イオンビームによるスパッタリングと、そのスパッタリングレートの認知による深さ測定とを同一装置内で行える評価装置を得る。【構成】 試料をスパッタするためのイオンビーム源1と、スパッタにより露出した試料表面にビームを照射する一次励起ビーム源5,その二次イオンから試料表面の組成評価を行う分析器6,検出器7からなる組成評価手段に加え、イオンビーム照射によりスパッタされた粒子の組成を検出するスパッタ粒子検出器8と、その検出情報からスパッタリングレートの認知を行い、そのクレータ深さを算出するクレータ深さ算出系9を備えた構成とする。【効果】 試料間における深さ測定の誤差を低減でき、また、多層構造試料の場合の深さ方向分析を容易に行える。
請求項（抜粋）：
試料をスパッタする機能を有し、スパッタにより露出した試料表面の組成の評価を行う評価装置において、前記試料をスパッタするためのイオンビームを照射するイオンビーム照射手段と、前記スパッタにより露出した試料表面の組成の評価を行う試料組成評価手段と、前記イオンビーム照射によりスパッタされた粒子の組成を検出するスパッタ粒子組成検出手段と、その検出情報から前記スパッタされた物質のスパッタレートを認知し、上記露出した試料表面のクレータ深さを算出するクレータ深さ算出手段とを備えたことを特徴とする評価装置。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, C23C 14/34
, C23C 14/46
