不揮発性メモリ装置及びそのプログラム方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-013627
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317087
出願日： 1999年01月21日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】向上されたマルチ-ビットデータを貯蔵する不揮発性メモリ装置およびその信頼性を向上させることができるプログラム方法を提供することである。【解決手段】不揮発性メモリ装置において、電気的に消去及びプログラムでき、フローティングゲート及び制御ゲートを有する少なくとも1つのメモリセルと、前記メモリセルは、複数の可能なデータ状態を示す複数の均等なスレショルド電圧分布のうち、1つのスレショルド電圧分布を有し、プログラム動作の間、前記メモリセルの制御ゲートに順次的に変化するプログラム電圧を提供し、前記可能なデータ状態のうち、1つのデータ状態のスレショルド電圧分布を有するようにプログラムする手段を含むが、前記可能なデータ状態、各々に対応するスレショルド電圧分布のうち、隣接な分布の間の差が不均等なことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

電気的に消去及びプログラムができ、フローティングゲート及び制御ゲートを有する少なくとも1つのメモリセルを含み、前記メモリセルは、複数の可能なデータ状態を示す複数の均等なスレショルド電圧分布のうち、1つのスレショルド電圧分布を有する不揮発性メモリ装置のプログラム方法において、前記可能なデータ状態のうち、1つのデータ状態のスレショルド電圧分布を有するようにプログラムするが、前記可能なデータ状態、各々に対応するスレショルド電圧分布のうち、隣接する分布の差が不均等なことを特徴とするプログラム方法。

IPC (6件)：

G11C 16/02 , H01L 27/115 , H01L 27/10 481 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

G11C 17/00 641 , H01L 27/10 481 , G11C 17/00 611 Z , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

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