特許
J-GLOBAL ID:200903094160624221

電解銅箔の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田中 大輔
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-193033
公開番号(公開出願番号):特開2004-035932
出願日: 2002年07月02日
公開日(公表日): 2004年02月05日
要約:
【課題】硫酸銅水溶液の電解液を用いて電解採取法により得られる電解銅箔の表面状態を制御できる製造技術を提供し、プリプレグ等の絶縁材料との密着を非常に強固にできる粗面を有する電解銅箔の製造方法を提供する。【解決手段】硫酸銅水溶液の電解液に陰極回転ドラムを浸漬し、該陰極回転ドラムの周面に沿って陽極を配置し、該陰極回転ドラム表面に銅を析出させ、該析出銅を連続的に剥がし巻き取るものである電解銅箔の製造方法において、電解液中のニカワ濃度を0.01〜0.10ppmとし、且つ水溶性セルロースエーテル濃度を0.01〜0.10ppmにするものとした。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
硫酸銅水溶液の電解液に陰極回転ドラムを浸漬し、該陰極回転ドラムの周面に沿って陽極を配置し、該陰極回転ドラム表面に銅を析出させ、該析出銅を連続的に剥がし巻き取るものである電解銅箔の製造方法において、 電解液中のニカワ濃度を0.01〜0.10ppmとし、且つ水溶性セルロースエーテル濃度を0.01〜0.10ppmにすることを特徴とする電解銅箔の製造方法。
IPC (2件):
C25D1/04 ,  C25D1/00
FI (2件):
C25D1/04 311 ,  C25D1/00 311

前のページに戻る