特許

J-GLOBAL ID：200903094168721412

化学的機械研磨中に基板反射率をモデル化する方法及び装置

発明者： ヴィスヴェシャー, アンドレアス
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-519266
公開番号（公開出願番号）：特表2001-522139
出願日： 1998年08月14日
公開日（公表日）： 2001年11月13日
要約：

【要約】化学的機械研磨を受けている基板について予測したインサイチュウ反射率測定(ISRM)トレースを演算する。この予測ISRMトレースは、時間の関数としての基板の測定反射率の推定値である。研磨の間、レーザ干渉検出器を用いて基板の反射率を測定し、測定ISRMトレースを生成する。この測定トレースを予測トレースと比較し、比較に基づいて研磨処理を調整しうる。例えば、予測ISRMトレースは、研磨終了点を検出するのに用いることができる。

請求項（抜粋）：

研磨作業中にインサイチュウ(その場)で測定される通りに、ウェーハに設けられた層を含む基板の反射率を予測する方法であって、 前記層について初期厚さ及び屈折率を含む前記基板のモデルを作成し、 時間の関数として前記層の厚さを推定し、 前記層の前記屈折率及び前記推定した厚さから時間の関数として前記基板の反射率を求める、 方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  G01N 21/47 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

H01L 21/304 622 S ,  G01N 21/47 B ,  H01L 21/66 P

Fターム (23件)：

2G059AA02 ,  2G059BB16 ,  2G059EE02 ,  2G059EE09 ,  2G059FF04 ,  2G059GG01 ,  2G059KK01 ,  2G059MM01 ,  2G059MM03 ,  2G059MM05 ,  2G059MM10 ,  2G059PP04 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA48 ,  4M106DH03 ,  4M106DH12 ,  4M106DH32 ,  4M106DJ02 ,  4M106DJ06 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ23