特許

J-GLOBAL ID：200903094170096983

薄膜半導体素子の製造方法

発明者： 佐々木 厚
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-342895
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142496
出願日： 2001年11月08日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】 多結晶シリコン半導体膜中のダングリングボンドを終端することを目的とした熱処理時に水素の供給源である窒化珪素の保護膜から遊離したラジカル状態の水素が等方的に拡散するため、その多くが薄膜半導体素子の外へと脱離してしまい、ダングリングボンドの終端が不十分となり薄膜半導体素子の移動度やスイング特性が劣化する。【解決手段】 金属膜を水素の拡散バリヤとして用いることにより、多結晶シリコン半導体膜中のダングリングボンドを終端する水素をより有効に供給する製造ステップを有することを特徴とする。具体的には、保護膜を成膜後、水素の拡散バリヤとして金属からなるオーバーコート膜を設けた状態で熱処理を行い、保護膜から脱離した水素が薄膜半導体素子の外へ脱離することを防止し、多結晶シリコン半導体膜へ十分な水素を供給して、ダングリングボンドの終端を促進する。

請求項（抜粋）：

基板上に多結晶シリコンからなる半導体膜を形成する工程、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成する工程、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極膜を形成する工程、前記ゲート電極膜上に層間絶縁膜を形成する工程、前記層間絶縁膜上に配線膜を形成する工程、前記配線膜上に窒化珪素からなる保護膜を形成する工程、前記保護膜上に金属からなるオーバーコート膜を形成する工程、前記保護膜を加熱する工程、および、前記オーバーコート膜を除去する工程を有し、前記保護膜上に金属からなるオーバーコート膜を形成する工程を実施後、前記オーバーコート膜を除去する工程を実施するまでの間に、前記保護膜を加熱する工程を実施することを特徴とする薄膜半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 21/322 Z ,  H01L 29/78 627 E

Fターム (30件)：

5F110AA19 ,  5F110BB02 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ10 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ30