化学増幅ポジ型レジスト材料

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-104589
公開番号（公開出願番号）：特開平9-274319
出願日： 1996年04月02日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】遠紫外線、電子線、X線等の高エネルギー線に対して高い感度を有し、アルカリ水溶液で現像することによりパターン形成できる、微細加工技術に適した化学増幅ポジ型レジスト材料を得る。【解決手段】 (A)有機溶媒、(B)ベース樹脂として下記一般式(1)で示される重量平均分子量が2,000〜50,000である高分子化合物、(C)酸発生剤、(D)溶解制御剤として重量平均分子量が1,000を超え3,000以下で、かつ分子内にフェノール性水酸基を有する化合物の該フェノール性水酸基の水素原子を酸不安定基により全体として平均0%を超え60%以下の割合で部分置換した化合物を含有してなる化学増幅ポジ型レジスト材料。

請求項（抜粋）：

(A)有機溶剤(B)ベース樹脂として下記一般式(1)で示される重量平均分子量が2,000〜50,000である高分子化合物【化1】【化2】(C)酸発生剤(D)分子内にビニルエーテル基を2つ以上有する化合物を含有してなることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。

IPC (7件)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/029 , G03F 7/033 , G03F 7/075 511 , H01L 21/027

FI (7件)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/029 , G03F 7/033 , G03F 7/075 511 , H01L 21/30 502 R

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