ろう材、これを用いた半導体装置の組み立て方法並びに半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-273598
公開番号（公開出願番号）：特開2004-106027
出願日： 2002年09月19日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】従来提供されているSn/Sb系ろう材はβ’相の粗大粒が析出しやすく、素子や接合部でクラックが発生しやすいという欠点が充分克服されておらず、また前記した特殊な膜を半導体素子ダイボンディング面に設けた際にボイドが発生するという欠点も克服されておらず、必ずしも充分なものとは言えない。本発明はかかる問題を解決しうる新規なろう材の提供を課題とする。【解決手段】Sbを5〜20mass%、Teを0.01〜5mass%含み、残部がSnおよび不可避不純物であるろう材、あるいはSbを5〜20mass%、Teを0.01〜5mass%、Pを0.005〜0.5mass%を含み、残部がSnおよび不可避不純物であるろう材である。また、このろう材の熱サイクル製を改善するために、Ag、Cu、Fe、Niのうちの1種以上を合計量として0.01〜5mass%添加しても良い。【選択図】なし。

請求項（抜粋）：

Sbを5〜20mass%、Teを0.01〜5mass%含み、残部がSnおよび不可避不純物であることを特徴とするろう材。

IPC (3件)：

B23K35/26 , C22C13/02 , H01L21/52

FI (3件)：

B23K35/26 310A , C22C13/02 , H01L21/52 E

Fターム (3件)：

5F047AA11 , 5F047BA05 , 5F047BA19

前のページに戻る