特許
J-GLOBAL ID：200903094180777946
半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-039047
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097596
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 信頼性がよく、かつ高速応答が可能な素子を歩留まりよく得ることのできる半導体レーザ素子を提供する。【構成】 リッジ部が、第2の導電型の上部クラッド層6と第2の導電型のキャップ層11とから形成されている。InGaAsP層からなる多重量子井戸活性層(3、4)とガイド層(2、5)とはエッチングされていない。この活性層(3、4)はガイド層(2、5)に囲まれており、大気にさらされることがない。絶縁膜9および耐熱性高抵抗樹脂膜10が、電流狭窄を行っている。
請求項（抜粋）：
第1の導電型のInP基板上に、第1の導電型の下部クラッド層と、下部ガイド層と、InGaAsP層からなる多重量子井戸活性層と、上部ガイド層とが順次積層され、該上部ガイド層の上には、第1の導電型とは逆の第2の導電型の上部クラッド層と、第2の導電型のキャップ層とが順次ストライプ状に積層されたリッジ部が形成されており、該リッジ部の側面および該リッジ部以外の上部ガイド層の上面には、絶縁膜と耐熱性高抵抗樹脂膜とがこの順に形成された半導体レーザ素子。
引用特許：
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