特許

J-GLOBAL ID：200903094180924167

縦形オーバーフローイメージセンサーの製造方法

発明者： 浜崎 正治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小松 祐治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-120667
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046167
出願日： 1984年02月15日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 縦形オーバーフローイメージセンサーの製造方法において、スメア、ブルーミングをより小さくする。【構成】 オーバーフロー方向の電荷の流れに対して障壁を成す第2導電型半導体領域2を高エネルギーイオン注入により形成し、その注入されたイオンが半導体表面から所定距離離れた位置に所定幅の分布を有するようにする。

請求項（抜粋）：

各セルの光電変換により生じた電子を蓄積する第1導電型の電荷蓄積領域と、それより下側の第1導電型半導体領域との間に上記電荷蓄積領域から深さ方向への電荷の流れに対する障壁を成す第2導電型半導体領域を設けた縦形オーバーフローイメージセンサーの製造方法において、上記第2導電型半導体領域を高エネルギーイオン注入により形成し、その注入されたイオンが半導体表面から所定距離離れた位置に所定幅の分布を有するようにすることを特徴とする縦形オーバーフローイメージセンサーの製造方法

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 27/14 A ,  H01L 21/265 W

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭59-019481
  
• 特開昭58-125970