特許

J-GLOBAL ID：200903094181706333

多結晶半導体TFT、その製造方法、及びTFT基板

発明者： 増茂 邦雄
出願人/特許権者： エイ・ジー・テクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-283891
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129890
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】画素用TFTと回路用TFTを工程を増やさずに作り分ける。【解決手段】回路用TFTはオフセット領域がゲート絶縁膜と層間絶縁膜とを介して第2のゲート電極と対向し、第1のゲート電極と第2のゲート電極は電気的に短絡され、画素用TFTは従来形式のオフセットTFTとされ、夫々の所望の動作特性を備える。

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁膜を介して第1のゲート電極と対向する半導体のチャネル領域とソース・ドレイン領域との間にオフセット領域を有する多結晶半導体TFTにおいて、第2のゲート電極がゲート絶縁膜と層間絶縁膜とを介して、オフセット領域と対向するようにさらに設けられ、第1のゲート電極と第2のゲート電極とがほぼ同電位となるように設けられたことを特徴とする多結晶半導体TFT。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (3件)：

H01L 29/78 617 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 B