特許

J-GLOBAL ID：200903094187591139

半導体モジュール

発明者： ヴォルフガング ヴェルナー
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-519470
公開番号（公開出願番号）：特表2001-522146
出願日： 1998年08月17日
公開日（公表日）： 2001年11月13日
要約：

【要約】本発明は、2つの主表面を備えた半導体基体(1)と、少なくとも2つの電極(D、S)と、半導体基体(1)内に交互に配置されたゾーン(3;5、7)とを有しており、前記電極はそれぞれ少なくとも一方の主表面上に配置されており、前記ゾーンは2つの主表面に対して垂直に延在しており、かつ相互に反対の導電型である、半導体モジュールに関する。交互に配置されたゾーン(3;5、7)は電圧を2つの電極(D、S)に印加する際に相互に電荷キャリアによって空乏化され、半導体基体(1)内で2つの電極間にほぼ一定の電界強度が形成される。交互に配置されたゾーン(3;5、7)は本発明によれば少なくとも1つの中空スペース(6)を有しており、この中空スペースは有利にはガラス層(10)により閉じられている。

請求項（抜粋）：

2つの主表面を備えた半導体基体(1)と、少なくとも2つの電極(D、S)と、半導体基体(1)内に交互に配置されたゾーン(3;5、7)とを有しており、 前記電極はそれぞれ少なくとも一方の主表面上に配置されており、 前記ゾーンは2つの主表面に対して垂直に延在しており、かつ相互に反対の導電型であり、 交互に配置されたゾーン(3;5、7)は電圧を2つの電極(D、S)に印加する際に相互に電荷キャリアによって空乏化され、半導体基体(1)内で2つの電極間にほぼ一定の電界強度が形成される、半導体モジュールにおいて、 交互に配置されたゾーン(3;5、7)は少なくとも1つの中空スペース(6)を有している、ことを特徴とする半導体モジュール。

IPC (7件)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/93

FI (7件)：

H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 652 R ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/93 Z ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/91 D

Fターム (8件)：

4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD26 ,  4M104FF06 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09