特許
J-GLOBAL ID：200903094189615361
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-004720
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190903
出願日： 1992年01月14日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 窒化ガリウム系半導体の可視光領域の発光素子用を得る。【構成】 サファイアR面基板16上に多結晶窒化ガリウム系半導体層17,その上に単結晶窒化ガリウム系半導体層18からなる発光層を有する可視光領域の半導体発光素子。【効果】 サファイアR面基板上に1μm以下という窒化ガリウム系半導体の膜厚で電流注入により青色発光する素子を作製することができた。また,膜厚が小さいため発光素子を作製するプロセスが容易で信頼性の高いものになり,かつ光の取り出し効率を高くすることができるという特長がある。
請求項（抜粋）：
オフ角0.8度以下のサファイアR面基板上に形成された多結晶窒化ガリウム系半導体薄膜と,該多結晶窒化ガリウム系半導体上に形成された単結晶窒化ガリウム系半導体からなる発光層を少なくとも一つ有することを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。
IPC (2件)：
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