特許

J-GLOBAL ID：200903094190402185

半導体装置及びその製造方法

発明者： 中村 一世 ,  服部 弘美 ,  山崎 治
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-294490
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136082
出願日： 1991年11月11日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【構成】 半導体基板(1)に形成されたソース/ドレイン領域(2)表面に接続され、かつ第1の導電層(3)とは絶縁された第2の導電層(4)と、第1の導電層(3)及び第2の導電層(4)上部に積層された絶縁層(5)に形成されたコンタクトホール(6)と、外部配線用の電極(7)とを有し、ソース/ドレイン領域(2)と電極(7)とが第2の導電層(4)と、コンタクトホール(6)に埋設された導電性物質(8)とを介して接続されている半導体装置。【効果】 第1及び第2の導電層(3)(4)がほぼ同程度の厚さに堆積されることにより、半導体基板(1)表面の段差を抑制することができるとともに、絶縁層(5)を薄くすることができ、コンタクトホール(6)の開口及び埋め込みが容易となる。また、半導体基板(1)と第2の導電層(4)との接触面積を増大させるとができ、配線の断線等の信頼性低下を改善するとができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成されたソース/ドレイン領域表面に接続され、かつ第1の導電層とは絶縁された第2の導電層と、前記第1の導電層及び第2の導電層上部に積層された絶縁層に形成されたコンタクトホールと、外部配線用の電極とを有し、前記ソース/ドレイン領域と電極とが前記第2の導電層と、コンタクトホールに埋設された導電性物質とを介して接続されている半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/90 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-150845
  
• 特開平3-244132
  
• 特開平1-183136
  
• 特開平2-094472