特許
J-GLOBAL ID：200903094192000432
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西田 新
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-099343
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299455
出願日： 1992年04月20日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 リードフレームをトランスファーモールド法により樹脂封止した場合、過大なゲート残りを発生を防ぎ、トランスファーモールド工程の合理化およびタイバーカット金型の保全を実現することができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ゲートの先端部分に断面縮小部を形成し、樹脂を注入して固化させた後、そのゲート部分でその断面縮小部を切断する。
請求項（抜粋）：
対向する位置に設けた2つの支持タイバー、その支持タイバー間に設けた載置片、リード端子、およびそのリード端子を支持するリード端子間タイバーとを、一体に形成してなるリードフレームを用い、上記載置片上に載置した半導体素子と上記リード端子とを接続した状態で、上記一方の支持タイバー近傍に設けたゲートから樹脂を注入して樹脂封止する半導体装置の製造方法において、上記ゲートの先端部分に断面縮小部を形成し、樹脂を注入して固化させた後、ゲート部分で固化した樹脂をその断面縮小部で切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/56
, B29C 45/02
, B29C 45/26
, B29C 45/38
, B29L 31:34
