デバイスの製造方法、デバイス、表示装置、および電子機器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲葉良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-119963
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318401
出願日： 2002年04月22日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】ボトムゲート型半導体装置に適した製造方法の提供。【解決手段】基板(10)の所定領域に溝部(101)を設ける工程、溝部(101)に導電パターン(11)を形成する工程、および導電パターン(11)を含む領域に当該導電パターン(11)をゲート電極とするデバイスを形成する工程を備える。フォトリソグラフィ法を使用しないので、大規模な設備を使用せず材料を無駄にしない。しかも、溝を利用してから材料液を充填するので、性能と精度が高いボトムゲート型半導体装置を製造することができる。

請求項（抜粋）：

基板の所定領域に溝部を設ける工程と、前記溝部に導電パターンを形成する工程と、前記導電パターンを含む領域に当該導電パターンをゲート電極とするデバイスを形成する工程と、を備えるデバイスの製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , H01L 21/283 , H01L 21/3205 , H01L 21/336 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (6件)：

G02F 1/1368 , H01L 21/283 Z , H01L 29/78 617 J , H01L 29/58 G , H01L 29/78 627 A , H01L 21/88 J

Fターム (76件)：

2H092JA26 , 2H092JA37 , 2H092JA47 , 2H092KA20 , 2H092KB06 , 2H092MA10 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092NA27 , 2H092PA01 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104CC05 , 4M104DD21 , 4M104DD46 , 4M104DD51 , 4M104DD78 , 4M104FF01 , 4M104GG09 , 4M104HH12 , 5F033GG04 , 5F033HH00 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033NN01 , 5F033PP26 , 5F033QQ00 , 5F033QQ53 , 5F033QQ73 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX01 , 5F110AA16 , 5F110AA18 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD21 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE41 , 5F110EE48 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF21 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG41 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HK02 , 5F110HK09 , 5F110HK21 , 5F110HK31 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HK37 , 5F110QQ19

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