特許

J-GLOBAL ID：200903094196068350

スパッタリングによる試料表面の深さ方向分析方法

発明者： 槇石 規子 ,  山本 公
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-170858
公開番号（公開出願番号）：特開平6-011467
出願日： 1992年06月29日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 スパッタリングによる試料表面の深さ方向分析方法を提供する。【構成】 電子銃1で発生させた電子線を電磁レンズ2などにより集束して試料ステージ3に固定された試料Sの上に照射し、その部位から発生したオージェ電子を含む2次電子をエネルギー分析器4を介して2次電子倍増管5により検出・増幅してコンピュータ6に取り込んでエネルギースペクトルとして解析するとともに、2次電子検出器8とこれと異なる方向に取付けた2次電子検出器11とからの2方向から得られた2次電子画像をコンピュータ13に取り込んで目的とする分析部分の面方向を決定し、予め求めた面方向とスパッタリング速度の関係からスパッタリング時間を深さに換算することにより、深さ方向分析を迅速に行うことが可能となる。

請求項（抜粋）：

スパッタリングにより試料表面から深さ方向への元素の分布状態を分析する方法であって、少なくとも2方向に2次電子検出器を設置し、得られる複数の2次電子画像を用いて目的とする分析部分の面方向を決定し、予め求めた面方向とスパッタリング速度の関係からスパッタリング時間を深さに換算して深さ方向分析を行うことを特徴とするスパッタリングによる試料表面の深さ方向分析方法。