特許

J-GLOBAL ID：200903094196512276

半導体製造方法および装置

発明者： 竜沢 信 ,  三井 勝広 ,  深山 吉生
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立マイコンシステム
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-000901
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186088
出願日： 1996年01月08日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】 被処理物の表面における帯電を防止することにより、被処理物に形成された回路の破壊を防止する。【解決手段】 外部15と遮断されかつ内部2aに真空雰囲気を形成可能なチャンバ2と、チャンバ2の内部2aの排気を行う真空ポンプ4と、チャンバ2の内部2aに処理ガス5を供給するガス供給手段6と、半導体ウェハ1を支持する試料台であるホルダ7と、プラズマ3を発生させかつホルダ7と対向して設置された対向電極8と、半導体ウェハ1の近傍9に半導体ウェハ1と非接触で設けられた第1シールド部材10と、第1シールド部材10に正電圧を印加する第1電源11とからなり、半導体ウェハ1に成膜処理を行う際に、第1電源11によって第1シールド部材10に正電圧を印加して半導体ウェハ1に成膜処理を行う。

請求項（抜粋）：

プラズマを用いて被処理物を処理する半導体製造方法であって、前記被処理物の処理を行う真空処理容器内に処理ガスを供給し、前記真空処理容器の内部を排気して真空雰囲気を形成し、前記真空処理容器の内部に前記プラズマを発生させ、前記プラズマを用いて前記被処理物に処理を行う際に、前記被処理物の近傍に前記被処理物と非接触で設置された導電性部材に正電圧を印加して前記被処理物を処理することを特徴とする半導体製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B