特許

J-GLOBAL ID：200903094197062681

FETスイッチ

発明者： 利波 良幸 ,  吉田 吾朗 ,  山下 和郎
出願人/特許権者： 日本無線株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-105513
公開番号（公開出願番号）：特開平8-307232
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】 ハイパワー特性に優れたFETスイッチを実現する。【構成】 直列FETQ1及びQ2のドレインゲート間にコンデンサC1及びC2を、並列FETQ3及びQ4のドレインゲート間にコンデンサC3又はC4と抵抗R5又はR6の直列接続回路を、それぞれ設ける。伝送される信号のパワーが大きい場合にそのパワーに応じて各FETのゲート電位が変化する結果、各FETによる波形のつぶれが生じにくくなり、よりハイパワーな信号を伝送するのに優れたFETスイッチが得られる。

請求項（抜粋）：

信号を入力するための入力ポートと、信号を出力するための出力ポートと、入力ポートから出力ポートに至る信号伝送路上に設けられそのゲートソース間電圧又はゲートドレイン間電圧が所定のしきい値を越えて変動した場合にターンオン又はターンオフするFETと、を備えるFETスイッチにおいて、上記信号の振幅が増加した場合に上記FETのゲートソース間電圧又はゲートドレイン間電圧が上記しきい値を越えて変動することを妨げるよう、当該FETのソース電位又はドレイン電位の変動に連動して当該FETのゲート電位を変化させる帰還回路を、当該FETのソース又はドレインとゲートとの間に接続したことを特徴とするFETスイッチ。

IPC (3件)：

H03K 17/693 ,  H01P 1/15 ,  H03F 3/72

FI (3件)：

H03K 17/693 A ,  H01P 1/15 ,  H03F 3/72

引用特許：

審査官引用 (4件)

• FETスイッチ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-302392   出願人：三洋電機株式会社
• 高周波スイッチ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-008490   出願人：シャープ株式会社
• 特開昭50-039039
  
• 特開昭55-075348