特許
J-GLOBAL ID：200903094197429348
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-170105
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021465
出願日： 1991年07月10日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置及びその製造方法、特に、SOI基板に形成される半導体装置及びその製造方法に関し、PN接合領域にリーク電流が発生することのない半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板1上に絶縁膜2を介して単結晶半導体層3が形成されているSOI基板に形成される半導体装置において、半導体装置のすべてのPN接合領域を熱酸化膜9・12をもって保護するように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1)上に絶縁膜(2)を介して単結晶半導体層(3)が形成されてなるSOI基板に形成されてなる半導体装置において、前記半導体装置に設けられたPN接合領域が前記半導体基板(1)上において熱酸化膜(9・12)をもって包囲されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/316
, H01L 27/12
