特許

J-GLOBAL ID：200903094203515219

不純物添加シリコン単結晶の育成方法

発明者： 鶴田 卓也 ,  今井 正人
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-013203
公開番号（公開出願番号）：特開平7-206583
出願日： 1994年01月11日
公開日（公表日）： 1995年08月08日
要約：

【要約】【目的】 CZ法またはFZ法を用いて不純物添加量の多いシリコン単結晶、特に大口径のシリコン単結晶を無転位の状態で育成することができるようにする。【構成】 添加する不純物の原子とシリコン原子との相互サイズ効果の絶対値が大きいほど、シリコン単結晶の格子定数の変化量が大きくなる。そして、育成単結晶と種結晶との格子定数の差すなわち格子不整合率が大きい場合に、育成単結晶に転位が発生しやすい。そこで、育成しようとする単結晶と同程度の濃度の不純物を含む無転位単結晶を種結晶として用いることにより、種結晶の格子定数を育成単結晶の格子定数に近似させることができるので、育成単結晶と種結晶との格子不整合率が小さくなり、高濃度の不純物を添加したシリコン単結晶を無転位の状態で育成することができる。育成単結晶と種結晶との格子不整合率は0.01%以下とすることが望ましい。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法またはフローティングゾーン法による不純物添加シリコン単結晶の育成において、育成する単結晶と同程度の濃度の不純物を含む無転位単結晶を種結晶として用い、前記育成単結晶と種結晶との格子不整合率を小さくすることにより、無転位単結晶を得ることを特徴とする不純物添加シリコン単結晶の育成方法。

IPC (4件)：

C30B 15/36 ,  C30B 13/34 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-261297
  
• 特開昭51-088172