特許
J-GLOBAL ID:200903094209108267

半導体特性を有する光触媒物質及びその製造方法と利用方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸 ,  藤田 健 ,  都祭 正則 ,  長谷川 俊弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-038068
公開番号(公開出願番号):特開2007-216223
出願日: 2007年02月19日
公開日(公表日): 2007年08月30日
要約:
【課題】半導体特性を有する光触媒物質及びその製造方法と利用方法を提供する。【解決手段】(a)第1の金属に対して第2の金属が所定のモル比となるように、前記第1の金属の前駆体及び前記第2の金属の前駆体の混合物を形成する段階であって、その際、該第1の金属は光誘導された半導体特性を示す金属であり、該第2の金属はドーパントであり、(b)前記混合物から不要なイオンを除去するために前記第1の金属の前駆体及び第2の金属の前駆体の混合物を処理して、前記第2の金属のイオンが全体に分散された前記第1の金属の酸化物を含む初期生成物を形成する段階と、(c)前記初期生成物を乾燥して、前記第2の金属のイオンでドーピングされた、乾燥状態の第1の金属の酸化生成物を形成する段階であって、該乾燥状態の生成物は粒子を含み、(d)熱を加えることによって前記乾燥状態の第1の金属の酸化生成物を焼成して、光触媒物質を形成する段階という、逐次的な段階を含む、光触媒物質の製造方法である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
(a)第1の金属に対して第2の金属が所定のモル比となるように、前記第1の金属の前駆体及び前記第2の金属の前駆体の混合物を形成する段階であって、その際、該第1の金属は光誘導された半導体特性を示す金属であり、該第2の金属はドーパントであり、 (b)前記混合物から不要なイオンを除去するために前記第1の金属の前駆体及び前記第2の金属の前駆体の混合物を処理して、前記第2の金属のイオンが全体に分散された前記第1の金属の酸化物を含む初期生成物を形成する段階と、 (c)前記初期生成物を乾燥して、前記第2の金属のイオンでドーピングされた、乾燥状態の第1の金属の酸化生成物を形成する段階であって、該乾燥状態の生成物は粒子を含み、 (d)熱を加えることによって前記乾燥状態の第1の金属の酸化生成物を焼成して、光触媒物質を形成する段階 という、逐次的な段階を含むことを特徴とする、光触媒物質の製造方法。
IPC (10件):
B01J 35/02 ,  B01J 37/06 ,  B01J 37/08 ,  B01D 53/86 ,  B01J 37/03 ,  B01J 37/04 ,  B01J 23/30 ,  B01J 23/745 ,  A61L 9/00 ,  A61L 9/01
FI (12件):
B01J35/02 J ,  B01J37/06 ,  B01J37/08 ,  B01D53/36 J ,  B01D53/36 G ,  B01J37/03 B ,  B01J35/02 H ,  B01J37/04 102 ,  B01J23/30 M ,  B01J23/74 301M ,  A61L9/00 C ,  A61L9/01 B
Fターム (85件):
4C080AA07 ,  4C080BB02 ,  4C080CC08 ,  4C080HH05 ,  4C080KK08 ,  4C080MM02 ,  4C080QQ03 ,  4D048AA17 ,  4D048AB03 ,  4D048BA07X ,  4D048BA08Y ,  4D048BA16Y ,  4D048BA21Y ,  4D048BA23Y ,  4D048BA27X ,  4D048BA28Y ,  4D048BA36X ,  4D048BA41Y ,  4D048BB01 ,  4D048BB17 ,  4D048CC40 ,  4D048CC41 ,  4D048EA01 ,  4G169AA02 ,  4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169BA04B ,  4G169BA48A ,  4G169BB04A ,  4G169BB04B ,  4G169BB08C ,  4G169BC22A ,  4G169BC22C ,  4G169BC35A ,  4G169BC35C ,  4G169BC50A ,  4G169BC50B ,  4G169BC50C ,  4G169BC51A ,  4G169BC51C ,  4G169BC54A ,  4G169BC54C ,  4G169BC60A ,  4G169BC60B ,  4G169BC60C ,  4G169BC62A ,  4G169BC62C ,  4G169BC66A ,  4G169BC66B ,  4G169BC66C ,  4G169BD12C ,  4G169CA01 ,  4G169CA10 ,  4G169CA11 ,  4G169DA06 ,  4G169EA01X ,  4G169EA01Y ,  4G169EA08 ,  4G169EB18X ,  4G169EB18Y ,  4G169EB19 ,  4G169EC22Y ,  4G169EC25 ,  4G169EC27 ,  4G169FA01 ,  4G169FA03 ,  4G169FB04 ,  4G169FB09 ,  4G169FB23 ,  4G169FB30 ,  4G169FB57 ,  4G169FB80 ,  4G169FC02 ,  4G169FC06 ,  4G169FC07 ,  4G169FC08 ,  4G169FC10 ,  4G169HA01 ,  4G169HB01 ,  4G169HB02 ,  4G169HB06 ,  4G169HC29 ,  4G169HD03 ,  4G169HD10 ,  4G169HE03
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 大韓民国特許第10-0216032号明細書
  • 大韓民国特許公開第10-2005-0077887号公報

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