半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-156743
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037977
出願日： 1993年06月28日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】高温高湿度下での耐久性が、著しく向上した多層配線構造の半導体装置を提供する。【構成】脱水処理した層間絶縁膜で構成する。脱水温度は、好ましくは300°C以上、より好ましくは400°C以上である。ホットプレート上での処理が好ましい。【効果】配線金属は純Al、層間絶縁膜はPSGの構成でも、85°C・85%1000時間の耐久試験に合格する。

請求項（抜粋）：

少なくとも2層以上の配線金属層と、前記配線金属層間を絶縁する1層以上の層間絶縁膜層を有する多層配線構造の半導体装置において、前記層間絶縁膜は脱水処理を施されているものであることを特徴とする半導体装置。

前のページに戻る