特許

J-GLOBAL ID：200903094212179256

シリコンウエーハ

発明者： 白井 宏 ,  高井 法平 ,  桐野 好生 ,  赤井 賢二 ,  今 武志 ,  中西 宏円
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 田辺 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-232516
公開番号（公開出願番号）：特開平7-165495
出願日： 1985年11月22日
公開日（公表日）： 1995年06月27日
要約：

【要約】【目的】 結晶欠陥密度が小さいシリコンウエーハを提供する。【構成】 水素ガスの雰囲気下において1000°Cから1350°Cの温度範囲に少なくとも30分間滞留させる熱処理を施したシリコンウエーハであって、乾燥酸素ガス雰囲気で16時間熱処理を行い、エッチングをして表面の酸化誘起積層欠陥密度を測定した場合、その平均密度が100個/cm2 以下であることを特徴とするシリコンウエーハ。

請求項（抜粋）：

水素ガスの雰囲気下において1000°Cから1350°Cの温度範囲に少なくとも30分間滞留させる熱処理を施したシリコンウエーハであって、乾燥酸素ガス雰囲気で16時間熱処理を行い、エッチングをして表面の酸化誘起積層欠陥密度を測定した場合、その平均密度が100個/cm2 以下であることを特徴とするシリコンウエーハ。

IPC (4件)：

C30B 29/06 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭51-134071
  
• 特開昭58-085534