特許
J-GLOBAL ID：200903094213991191
故障検出回路付半導体センサ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑井 清一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-273122
公開番号（公開出願番号）：特開平6-229778
出願日： 1993年10月05日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 半導体センサの故障検出回路において、アルミ断線、ワイヤ切れ、シリコン破壊等を確実に検出することを目的とする。【構成】 センサブリッジ2の感度温度補償をする駆動回路1をセンサブリッジに接続し、センサブリッジ2の出力Vs+を反転入力端に接続するコンパレ-タCP1と、出力Vs+を非反転入力端に接続するコンパレ-タCP2と、センサブリッジの出力Vs+を反転入力端に接続するコンパレ-タCP3と、出力Vs-を非反転入力端に接続するコンパレ-タCP4の各出力端子を共通接続してモニタ出力端子とすることにより、センサの故障を検出して外部回路へ出力することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基部に形成された変形可能部に不純物を導入したピエゾ抵抗でホイ-トストンブリッジ回路を構成し、該ホイ-トストンブリッジ回路を第1電源と第2電源間に接続して成るセンサ部と、該センサ部の異常を検出するためセンサ部に接続された故障検出回路とを備えた半導体センサ装置において、上記故障検出回路は上記ホイ-トストンブリッジ回路の第1出力ノ-ドに接続された第1反転入力ノ-ドと第1非反転入力ノ-ドを有し、第1非反転入力ノ-ドの電圧が第1反転入力ノ-ドの電圧より高いと第1出力信号を検出レベルとする第1比較器と; 第2反転入力ノ-ドと上記第1出力ノ-ドに接続された第2非反転入力ノ-ドとを有し、第2非反転入力ノ-ドの電圧が第2反転入力ノ-ドの電圧より高いと第2出力信号を上記検出レベルとする第2比較器と; 上記ホイ-トストンブリッジ回路の第2出力ノ-ドに接続された第3反転入力ノ-ドと第3非反転入力ノードとを有し、第3非反転入力ノードの電圧が第3反転入力ノードの電圧より高くなると第3出力信号を検出レベルとする第3比較器と; 第4反転入力ノ-ドと上記第2出力ノ-ドに接続された第4非反転入力ノ-ドとを有し、第4非反転入力ノ-ドの電圧が第4反転入力ノ-ドの電圧より高くなると第4出力信号を検出レベルとする第4比較器と; 第1出力信号及至第4出力信号の供給される検出信号出力端子と; 第1比較器の第1非反転入力ノ-ドに第1参照電圧を第2比較器の第2反転入力ノ-ドに第2参照電圧をそれぞれ供給する第1参照電圧発生回路と; 上記第1出力ノ-ドと上記第2電源との間に接続された第1高抵抗体と; 上記第3比較器の第3非反転入力ノ-ドに第3参照電圧を、上記第4比較器の第4反転入力ノ-ドに第4参照電圧をそれぞれ供給する第2参照電圧発生回路と; 上記第2出力ノードと上記第2電源との間に接続された第2高抵抗体とを有することを特徴とする半導体センサ装置。
IPC (5件)：
G01D 3/08
, G01P 15/09
, G01P 21/00
, G01R 31/02
, H01L 29/84
