特許
J-GLOBAL ID：200903094214881446
多層配線形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-346464
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182966
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】半導体装置の多層配線形成工程において、接続孔埋め込みと配線とを同時に行うことにより工程を短縮することを目的とする。【構成】半導体装置の多層配線形成方法において、半導体基板1の上面に種類の異なる層間絶縁膜5、6を形成する工程と、この層間絶縁膜5、6のエッチングレート差を利用して、上記層間絶縁膜5、6に深さの異なる溝を形成する工程と、左記深さの異なる溝に導電材料8を同時に埋め込む工程を含む。
請求項（抜粋）：
半導体装置の多層配線形成において、半導体基板の上面に種類の異なる層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜間のエッチングレート差を利用して前記層間絶縁膜に深さの異なる溝を形成する工程と、前記深さの異なる溝に導電材料を同時に埋め込む工程を含むことを特徴とする半導体装置の多層配線形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/302
, H01L 21/90
