特許
J-GLOBAL ID：200903094215297888
ダイヤモンド冷陰極およびダイヤモンド冷陰極を用いた電界放出素子ならびにダイヤモンド冷陰極の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
沼形 義彰 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-066129
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264862
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 基板と平行な(111)配向面が極めて小さくて尖ったダイヤモンド孤立粒子からなる冷陰極の電子放出特性を向上させる。【構成】 CVD法によって銅基板上に合成した先端が尖ったダイヤモンド孤立粒子の表面を水素プラズマ処理した冷陰極。原料ガスの炭素量を極めて低くしたCVD法で合成して得た先端が尖ったダイヤモンド孤立粒子の表面を水素プラズマ処理する冷陰極の製造方法。
請求項（抜粋）：
基板上に化学的気相成長によって合成した尖ったダイヤモンド孤立粒子表面を水素プラズマ処理したことを特徴とする冷陰極。
IPC (3件)：
H01L 49/00
, H01J 1/30
, H01J 9/02
H01L 49/00 Z
, H01J 1/30 A
, H01J 9/02 B
