特許

J-GLOBAL ID：200903094215547892

高周波線形増幅器アセンブリ

発明者： ダニエル・シー・ブライトン ,  ガイ・ミン・ラウ
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 本城 雅則 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-151203
公開番号（公開出願番号）：特開平5-199048
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 コストが低く、寄生インダクタンスが低く、寄生容量が低く、熱伝導性が高く、600MHzを越える周波数まで実質的に平坦なゲインを有する、高周波線形増幅器アセンブリを提供する。【構成】 1GHzを越える動作帯域を有する広帯域線形増幅器10は、増幅器10の高電力散逸部品11と、増幅器10の高周波ゲインと安定性とを制御する部品17,18を熱伝導性の高い子基板32に搭載する。その後、子基板32と残りの回路部品21,22,23,24,26a,26bが熱伝導性の低い親基板31に搭載される。アセンブリ30は、回路の寄生インダクタンス46,47,48,49と、寄生容量51,52とを小さくして、高周波においても無条件の安定性を提供する。

請求項（抜粋）：

高周波線形増幅器アセンブリであって:能動部(11);第1熱伝導性を有する子基板(32)であって、子基板(32)の第1表面に取り付けられた能動部(11)をも有して、寄生インダクタンス(46,47,48,49)を小さくしており、子基板(32)が能動部(11)により発生した熱を散逸する手段となっている子基板(32);子基板(32)の第2表面上の複数の金属領域(41,42,43)であって、それぞれが電気的に絶縁されるている金属領域(41,42,43);第1帰還部(21);第2帰還部(22);入力結合部(24);出力結合部(23);バイアス部(26a,26b);および第1帰還部(21),第2帰還部(22),入力結合部(24),出力結合部(23),バイアス部(26a,26b)および子基板(32)を親基板(31)上に有する親基板(31)であって、親基板(31)は第1熱伝導性よりも小さい第2熱伝導性を有し、子基板(32)はワイヤ・ボンドにより親基板(31)に電気的に接続されている親基板(31);によって構成されることを特徴とする高周波線形増幅器アセンブリ。

IPC (3件)：

H03F 3/60 ,  H03F 1/22 ,  H03F 1/42