特許

J-GLOBAL ID：200903094234924940

ダイオードの製造方法

発明者： 渡辺 行彦 ,  勝野 高志 ,  石子 雅康 ,  小西 正樹 ,  藤原 広和 ,  山本 武雄 ,  遠藤 剛
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-068260
公開番号（公開出願番号）：特開2009-224603
出願日： 2008年03月17日
公開日（公表日）： 2009年10月01日
要約：

【課題】 2種類の金属電極を有するダイオードを製造する容易な製造方法を提供する。【解決手段】 n型半導体領域20の表面にp型半導体領域30を結晶成長させる工程と、p型半導体領域30の表面31にオーミック接合Jrするオーミック電極40(第1金属膜)を形成する工程と、オーミック電極40の表面41に開口を有するマスクを形成する第3工程と、マスクの開口からオーミック電極40とp型半導体領域30をエッチングしてn型半導体領域20を露出させる工程と、露出したn型半導体領域20の表面の少なくとも一部にショットキー接合Jsするショットキー電極50(第2金属膜)を形成する工程を備えている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

n型半導体領域の表面にp型半導体領域を結晶成長させる第1工程と、 前記p型半導体領域の表面にオーミック接合する第1金属膜を形成する第2工程と、 前記第1金属膜の表面に開口を有するマスクを形成する第3工程と、 前記マスクの開口から前記第1金属膜と前記p型半導体領域をエッチングして前記n型半導体領域を露出させる第4工程と、 露出した前記n型半導体領域の表面の少なくとも一部にショットキー接合する第2金属膜を形成する第5工程を備えていることを特徴とするダイオードの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872

FI (4件)：

H01L29/91 D ,  H01L29/91 F ,  H01L29/48 F ,  H01L29/48 P

Fターム (12件)：

4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD35 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 炭化けい素ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-132479   出願人：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社