特許
J-GLOBAL ID：200903094238424208
半導体レーザ及びそれを用いた光通信システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-286870
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094187
出願日： 2000年09月18日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：
【要約】【課題】製造時の熱アニールによるPLピークエネルギーのシフトが小さい、Nを含むIII-V族化合物半導体層を有する半導体レーザを提供すること。【解決手段】半導体基板上に、光を発生する活性層と、光を閉じこめるクラッド層と、発生した光からレーザ光を得るための共振器構造を備え、活性層が、窒素を含むIII-V族化合物半導体層を有し、この窒素を含むIII-V族化合物半導体層を構成する窒素原子を、半導体層内において一定の周期性を持って配置した半導体レーザ。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、光を発生する活性層と光を閉じこめるクラッド層と発生した光からレーザ光を得るための共振器構造を具備し、上記活性層は、窒素を含むIII-V族化合物半導体層を有する半導体レーザにおいて、上記窒素を含むIII-V族化合物半導体層を構成する窒素原子が、III-V族化合物半導体層内において一定の周期性を持って配置されていることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
5F073AA22
, 5F073AA45
, 5F073AA65
, 5F073AB17
, 5F073BA01
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073DA25
, 5F073EA29
