特許
J-GLOBAL ID:200903094240975750
露光方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
池内 寛幸 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-331818
公開番号(公開出願番号):特開平10-172889
出願日: 1996年12月12日
公開日(公表日): 1998年06月26日
要約:
【要約】【課題】 化学増幅型レジスト薄膜を露光する際の同一基板上におけるショットの露光時間差によるチップパターンの線幅のばらつきを小さくすると共に、基板周辺部から得られるチップの歩留りを向上させる。【解決手段】 各ショット12-iごとに露光エネルギーを変化させ、同じ基板上の各ショットの露光から加熱処理までの時間差による酸と不純物等との反応量を補償し、加熱処理時にける各ショットごとの酸の量をほぼ同じにする。また、1ショット12-a内の少なくとも1つのチップパターンがレジスト薄膜11上に露光されない場合、全てのチップパターンがレジスト薄膜上に露光されるように、露光中心をチップパターンの配列方向の例えばX方向にチップパターン単位で移動させ、すでに露光されている領域12-bと重なるチップパターンに対して遮光しつつ、露光を行う。
請求項(抜粋):
基板上に塗布されたレジスト薄膜上を、複数のチップパターンをからなるショットを1単位として、前記ショットごとに複数のチップパターンを同時に露光し、前記ショット単位で露光位置を移動させ、前記基板上のレジスト薄膜のほぼ全域を露光する露光方法であって、前記レジストは化学増幅型レジストであり、前記複数のチップパターンを露光する際、各ショットごとに露光エネルギーを変化させる露光方法。
IPC (2件):
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
FI (3件):
H01L 21/30 514 C
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 514 B
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