特許
J-GLOBAL ID：200903094241224228
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-255768
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067599
出願日： 1991年09月06日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置をウエアから切断する際に発生するカケやクラック等の損傷部分を除く。【構成】 半導体装置を切り出した後、切断面の損傷部分を機械的研磨により除去する。【効果】 パッケージとの接着力やチップ強度が増大し、各種ストレスに対して強化され、品質の信頼性、長寿命化が図れる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された複数個の半導体装置を切り出す工程と、上記半導体装置の切断面の損傷部分を機械的研磨により除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/78
