特許
J-GLOBAL ID：200903094242054229
ダイナミック型メモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-201011
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089571
出願日： 1993年07月21日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：
【要約】【目的】 ダイナミックRAMのリフレッシュを伴うスタンバイ電流(バッテリバックアップ電流)を削減する。【構成】 ダイナミックRAMの全メモリセルのリフレッシュ時間の分布は、少数のリフレッシュ時間の短いセルと、大多数のリフレッシュ時間の長いセルとに分けられる。そこで、大多数のセルはリフレッシュアドレス信号により直ちにリフレッシュせず、例えば3ビットカウンタ412を介することによってリフレッシュ行アドレス信号の3倍の周期まで引延ばしてリフレッシュする。これにより、リフレッシュ時のローパワー化が図れる。
請求項（抜粋）：
行選択のための行アドレス信号と列選択のための列アドレス信号とにより選択されたメモリセルの読出し書込みが可能で、かつリフレッシュ信号に同期して生成されるリフレッシュ行アドレスにより選択された行のメモリセルのリフレッシュが可能なダイナミック型メモリ装置であって、前記リフレッシュ行アドレス信号が第1グループに属する行を指定するものであるとき、前記リフレッシュ信号の入力毎に前記リフレッシュ行アドレス信号により指定される行を活性化する第1の活性化手段と、前記リフレッシュ行アドレス信号が第2グループに属する行を指定するものであるとき、前記リフレッシュ信号が複数の所定回数与えられたときに前記リフレッシュ行アドレス信号により指定される行を活性化する第2の活性化手段と、を含むことを特徴とするダイナミック型メモリ装置。
引用特許：
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