特許

J-GLOBAL ID：200903094242362071

半導体装置の製造方法

発明者： 中嶋 一明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-042058
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243197
出願日： 1998年02月24日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：

【要約】【課題】 再現性や量産性等にすぐれたシリコンの選択形成を行う。【解決手段】 単結晶シリコン領域10およびn型不純物を含有する不純物領域14、19、21を有する下地領域を形成する工程と、この下地領域上全体にアモルファスシリコン膜22を形成する工程と、不純物領域14、19、21に含有されたn型不純物を該不純物領域上のアモルファスシリコン膜22に導入する工程と、単結晶シリコン領域上のアモルファスシリコン膜22を単結晶シリコン膜23に結晶化する工程と、n型不純物が導入されたアモルファスシリコン膜24a、24bを選択的に除去する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン領域およびn型不純物を含有する不純物領域を有する下地領域を形成する工程と、この下地領域上にシリコン膜を形成する工程と、前記不純物領域に含有されたn型不純物を該不純物領域上の前記シリコン膜に導入する工程と、このn型不純物が導入されたシリコン膜に対応する領域を選択的に除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 29/78 301 X ,  H01L 21/28 301 D