特許

J-GLOBAL ID：200903094244616666

半導体装置およびその製造方法

発明者： 松浦 正純
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-274010
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116011
出願日： 1995年10月23日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】 膜収縮が減少し、膜ストレスが低減されるように改良された層間絶縁膜を有する半導体装置を提供すること。【解決手段】 基板1の上に金属配線2a,2bが形成されている。金属配線2a,2bを覆うように、かつ金属配線2aと金属配線2bとの間のすき間を埋めるように、基板1の上にシリコン酸化膜4が設けられている。シリコン酸化膜4の化学構造式は、Si-F結合を含んでいる。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の上に形成された第1の金属配線と第2の金属配線と、前記第1および第2の金属配線を覆うように、かつ、前記第1の金属配線と前記第2の金属配線とのすき間を埋めるように、前記基板の上に設けられたシリコン酸化膜とを備え、前記シリコン酸化膜の化学構造式は、Si-F結合を含んでいる、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/90 K ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 P