プラズマ処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-157921
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321495
出願日： 1993年03月18日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【課題】従来技術では、高周波ではラジカル主体のエッチングが起こり、低周波ではイオン主体のエッチングが起こるとしている。下地選択比については2MHz以下の低周波で高選択比が得られるとしているが、各種のプロセス条件で最も高い選択比が得られる周波数に設定するための方法は示されていなかった。【解決手段】臭化水素のガス処理ガスとして減圧下で生成したプラズマを用いて試料13をエッチング処理する際に、エッチング中に被処理材及び生成されたプラズマの特性に応じて試料台11に印加する高周波電源12からのバイアス電圧の周波数をサドルピーク型のイオンエネルギー分布となるように調節し、被処理材としきい値電圧を有する材料との間で高い選択比を持ったエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

臭化水素のガスを処理ガスとしてプラズマを生成し、該生成されたプラズマを利用して試料をエッチング処理をする工程と、エッチング中にバイアス電力を印加する工程と前記試料は試料をAのレートでエッチングする材料1とBのレートでエッチングする材料2とを有し、材料1、材料2の処理量が所定値になるように前記バイアス電源の周波数を制御してエッチングレートを制御することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 C , C23F 4/00 A , H05H 1/46 A

前のページに戻る