半導体ウエハ識別用パターン読取り方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-101115
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307256
出願日： 1994年05月16日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】高い読み取り率を実現する。【構成】斜光照明を用いた半導体ウエハID読み取り装置において、角度可変の照明固定アーム27に固定された照明26が設けられている。ドットと基板の散乱光の比からS/N比を算出するS/N算出装置31が設けられている。さらに、算出したS/N比が基準値に満たない場合に光強度、照明角度を変更するための光強度照射角度変更装置32が設けられている。これらにより、ウエハ28上に設けた評価領域でS/N比を測定し、S/N比が所望の基準値に満たない場合には、照明光の強度、照射角度を変更することで、読み取り画像を改善した。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ上に表記したドットの集合体で形成されるウエハ識別用パターンに隣接して、ドットの密集したドット領域とドットのない基板領域とからなる評価領域を設け、ウエハ識別用パターン読取り処理前に、前記評価領域内の読取り画像情報から得られる前記ドット領域および前記基板領域からの反射光強度を比較することにより読取り画像のS/N比を評価することを特徴とする半導体ウエハ識別用パターン読取り方法。

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