半導体放射線検出器の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：並川啓志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-356793
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183180
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】電極間に高い電圧を印加した場合にも、電極からの電子、正孔の注入を充分に抑制でき、かつ、半導体基板の電気的特性が変化しない半導体放射線検出器の製造方法を提供する。【構成】半導体単結晶からなる基板の一方の主面に該基板と同一またはそれ以上のバンドギャップを有する一導電型の第1のエピタキシャル層を形成し、該基板の他の主面に該基板と同一またはそれ以上のバンドギャップを有する他の導電型の第2のエピタキシャル層を形成し、前記第1および第2のエピタキシャル層上にそれぞれ電極を形成する。【効果】?@高速の検出が可能であり、?AS/N比が著しく向上し、加えて、?Bエネルギー分解能に優れる。

請求項（抜粋）：

半導体単結晶からなる基板の一方の主面に該基板と同一またはそれ以上のバンドギャップを有する一導電型の第1のエピタキシャル層を形成し、該基板の他の主面に該基板と同一またはそれ以上のバンドギャップを有する他の導電型の第2のエピタキシャル層を形成し、前記第1および第2のエピタキシャル層上にそれぞれ電極を形成することを特徴とする半導体放射線検出器の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/09 , G01T 1/24 , H01L 21/36

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭64-012582
特開昭64-089471

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