半導体レーザー

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柳田征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-299555
公開番号（公開出願番号）：特開平7-154024
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】作製時の歩留まりおよび長期信頼性が高い、内部に回折格子を有する発振波長領域740 〜1000nmの半導体レーザーを得る。【構成】回折格子を形成するために下部層にエッチングがなされた後、結晶再成長の前に空気中に露出する下部層(光導波路5およびキャリアブロッキング層4)を、5元のAlGaInAsP系化合物半導体から構成する。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に1回目の結晶成長で形成される複数の下部層と、該下部層の上側を所定深さまで周期的にエッチングして形成される回折格子と、その上に結晶を再成長させて形成される複数の上部層とを有する半導体レーザーにおいて、前記エッチングを受ける下部層が、5元のAlGaInAsP系化合物半導体から構成されたことを特徴とする半導体レーザー。

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