特許

J-GLOBAL ID：200903094255418882

ダイナミックランダムアクセスメモリ

発明者： 清水 伸
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-351219
公開番号（公開出願番号）：特開平6-176570
出願日： 1992年12月07日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 チップ面積及び消費電力を低減することができ、更に小信号振幅のインタフェースを使用するシステムに於けるノイズを低減することが可能なダイナミックランダムアクセスメモリを提供する。【構成】 電源電圧よりも低い基準電圧を駆動用として、またこの基準電圧よりも高い電圧を書き込み用として必要とするDRAMに於て、上記した基準電圧よりも高い電圧を電源から直接供給する構成とすることで、別途昇圧回路を必要とせず、チップ面積及び昇圧回路に必要とされる消費電力をなくすことができ、更に小信号振幅システムにDRAMを用いた場合でも小信号振幅インタフェースに昇圧回路から発生するノイズが作用する心配がない。

請求項（抜粋）：

電源電圧変換回路にて発生する電源電圧よりも低い基準電圧をもって駆動されると共に前記基準電圧よりも高い電圧をもって書き込みが行われるダイナミックランダムアクセスメモリであって、前記基準電圧よりも高い電圧が電源から直接供給されることを特徴とするダイナミックランダムアクセスメモリ。

IPC (2件)：

G11C 11/407 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

G11C 11/34 354 F ,  H01L 27/10 325 V

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-246516
  
• 特開平2-189795
  
• 特開平3-228368