特許
J-GLOBAL ID：200903094258399218
半導体デバイスの短絡修繕方法とその修繕装置、半導体デバイスの製造方法、並びに半導体デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347470
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204525
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、短絡箇所の修繕をより簡単に、より短い時間で、より確実に行うことができる半導体デバイスの短絡修繕方法およびその装置を提供することを目的とする。【構成】 半導体薄膜に発生したピンホールを介して導電性基板と導電性薄膜とが電気的に短絡している箇所を有する半導体デバイスの短絡修繕方法において、該半導体デバイスを内部を減圧にした真空容器中に置き、短絡箇所の上方に導電性薄膜と所定間隔離してプローブを配設し、プローブの近傍より塩素を含むガスを半導体デバイスの表面に向かって噴射しながら、プローブに高電圧を印加してスパーク放電を起こし、短絡箇所の半導体薄膜を溶融すると同時に、該導電性基板と短絡している導電性薄膜の箇所を気化させることによって、該導電性基板と導電性薄膜とを非接触な状態にすることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
導電性基板上に半導体薄膜と導電性薄膜が順次積層され、該半導体薄膜に発生したピンホールを介して導電性基板と導電性薄膜とが電気的に短絡している箇所を有する半導体デバイスの短絡修繕方法において、該半導体デバイスを内部を減圧にした真空容器中に置き、短絡箇所の上方に導電性薄膜と所定の間隔離してプローブを配設し、プローブの近傍より塩素を含むガスを半導体デバイスの表面に向かって噴射しながら、プローブに高電圧を印加してプローブと短絡箇所との間にスパーク放電を起こし、短絡箇所の半導体薄膜を溶融すると同時に、スパーク放電領域近傍に発生した塩素を含有するラジカルと該導電性基板と短絡している導電性薄膜とを反応させ、該短絡箇所の導電性薄膜を気化させることによって、該導電性基板と導電性薄膜とを非接触な状態にすることを特徴とする半導体デバイスの短絡修繕方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 B
, H01L 31/08 Q
