特許
J-GLOBAL ID：200903094278031586
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長尾 常明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-148538
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340158
出願日： 1998年05月29日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 炭化珪素のアニール時のイオン注入不純物の外方拡散を防ぐ。【解決手段】 イオン注入した部分を、イオン注入不純物を含む高融点金属化合物の薄膜で被覆してから、アニールする。
請求項（抜粋）：
炭化珪素基板の所定の領域にn型又はp型不純物となる原子のイオン注入を行い、該不純物のイオン注入を行った領域の一部又は全面を、少なくともイオン注入した不純物原子を含んだ高融点金属化合物で構成された第1の薄膜により被覆し、その後アニールすることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/265 Z
, H01L 21/265 602 A
