特許
J-GLOBAL ID：200903094279866061
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-242266
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099284
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】一つの容器に複数の半導体素体を収容し、各素体の上部電極面と上部端子体とを加圧接触により接続して容器両面からの放熱を行う場合に、上部電極面の高さが、素子の種類の相違あるいは同一素子でも異なって均等な加圧接触ができない問題を解決する。【構成】容器の上部端子体と半導体素体の上部電極面の間に半導体素体側に突出部を有する中間端子体を挿入し、その突出部の高さを、上部電極面の下部端子体の下面からの高さの測定値に対応して予め研磨しておくことにより、上部端子体に圧力を加えたとき、中間端子体と半導体素体の上部電極面の接触が均一に行われるようにする。
請求項（抜粋）：
絶縁性側壁とその側壁の上下両端にそれぞれ外周部で結合される導電性の上下端子板とから形成される容器中に複数個の半導体素体が収容され、半導体素体の下面側の電極板が共通の下部端子板に固着され、各半導体素体の上面の電極に共通の上部端子板がそれぞれ個々に高さの調整された中間端子体を介して対向し、上部端子板に対する加圧により中間端子体が各半導体素体の上面の電極面に接触可能なことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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