特許
J-GLOBAL ID：200903094279958632
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-048120
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263392
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 既存の装置を用いつつ、純水洗浄過程で被加工物表面に成長する酸化物を安価にかつ簡便に抑制することができる。【構成】 被洗浄物表面を純水に塩酸を添加した塩酸水溶液で洗浄する工程を含む。
請求項（抜粋）：
被洗浄物表面から酸化物を除去処理した後、被洗浄物表面を純水に塩酸を添加した塩酸水溶液で洗浄する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, H01L 21/306
, H01L 21/308
